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形成半导体结构的方法、等离子体发生装置及半导体工艺设备
摘要文本
本发明公开一种形成半导体结构的方法、等离子体发生装置及半导体工艺设备，属于半导体技术领域，所公开的方法包括：对半导体叠层结构执行第一刻蚀工艺，以形成多个相互间隔的鳍形结构；其中，半导体叠层结构包括交替堆叠的至少一个第一半导体层和至少一个第二半导体层，在执行第一刻蚀工艺时，使等离子体发生腔与反应腔室之间间隔第一间距；对鳍形结构执行第二刻蚀工艺，以选择性地刻蚀第一半导体层与第二半导体层中的一者的至少部分，在执行第二刻蚀工艺时，使等离子体发生腔与反应腔室之间间隔第二间距，第二间距大于第一间距。上述方案能解决半导体工艺设备在进行不同类型刻蚀工艺过程中由于需要换腔而导致刻蚀产能较低的问题。
申请人信息
- 申请人:北京北方华创微电子装备有限公司
- 申请人地址:100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道8号
- 发明人: 北京北方华创微电子装备有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 形成半导体结构的方法、等离子体发生装置及半导体工艺设备 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410116211.5 |
| 申请日 | 2024/1/26 |
| 公告号 | CN117650047A |
| 公开日 | 2024/3/5 |
| IPC主分类号 | H01L21/3065 |
| 权利人 | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 发明人 | 杨光; 李佳阳; 马一鸣; 蒋中伟; 王京 |
| 地址 | 北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道8号 |
专利主权项内容
1.一种形成半导体结构的方法，所述方法应用于半导体工艺设备，所述半导体工艺设备包括相互连通的等离子体发生腔(21)和反应腔室(10)，其特征在于，所述方法包括：对半导体叠层结构(002)执行第一刻蚀工艺，以形成多个相互间隔的鳍形结构(023)；其中，所述半导体叠层结构(002)包括交替堆叠的至少一个第一半导体层(021)和至少一个第二半导体层(022)；在执行所述第一刻蚀工艺时，使所述等离子体发生腔(21)与所述反应腔室(10)之间间隔第一间距；对所述鳍形结构(023)执行第二刻蚀工艺，以选择性地刻蚀所述第一半导体层(021)与所述第二半导体层(022)中的一者的至少部分，在执行所述第二刻蚀工艺时，使所述等离子体发生腔(21)与所述反应腔室(10)之间间隔第二间距，所述第二间距大于所述第一间距。