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边缘进气装置、半导体工艺腔室及半导体工艺设备

申请号: CN202410044870.2
申请人: 北京北方华创微电子装备有限公司
申请日期: 2024/1/11

摘要文本

本发明提供一种边缘进气装置、半导体工艺腔室及半导体工艺设备,该装置包括旋转进气组件,呈环状,旋转进气组件能够围绕自身轴线旋转;固定进气组件,呈环状,设置在旋转进气组件外侧,位于旋转进气组件的外周的第一对接面与位于固定进气组件的内周的第二对接面可相对旋转地对接,旋转进气组件中设置有第一进气通道,第一进气通道在第一对接面设置有第一进气口,且沿旋转进气组件的内周设置有多个第一出气口;固定进气组件中设置有第二进气通道,第二进气通道在第二对接面设置有第二出气口,第一进气口与第二出气口相连通。本方案可以提高通入半导体工艺腔室中的气体分布均匀性,从而可以提高工艺均匀性。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 边缘进气装置、半导体工艺腔室及半导体工艺设备
专利类型 发明申请
申请号 CN202410044870.2
申请日 2024/1/11
公告号 CN117684156A
公开日 2024/3/12
IPC主分类号 C23C16/455
权利人 北京北方华创微电子装备有限公司
发明人 伊藤正雄; 林源为
地址 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号

专利主权项内容

1.一种边缘进气装置,用于半导体工艺腔室,其特征在于,包括:旋转进气组件,呈环状,所述旋转进气组件能够围绕自身轴线旋转;固定进气组件,呈环状,设置在所述旋转进气组件外侧,位于所述旋转进气组件的外周的第一对接面与位于所述固定进气组件的内周的第二对接面可相对旋转地对接,所述旋转进气组件中设置有第一进气通道,所述第一进气通道在所述第一对接面设置有第一进气口,且沿所述旋转进气组件的内周设置有多个第一出气口;所述固定进气组件中设置有第二进气通道,所述第二进气通道在所述第二对接面设置有第二出气口,所述第一进气口与所述第二出气口相连通。 来自: