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一种应用于存储器芯片的抗辐照检测方法

申请号: CN202410190182.7
申请人: 北京怀美科技有限公司
申请日期: 2024/2/21

摘要文本

本发明是关于应用于存储器芯片的抗辐照检测方法,包括:基于辐照测试前的原始数据块和预设算法,生成原始数据块对应的识别字段作为原始识别字段,其中,基于写入存储器的原始数据块在辐照环境下的预计损伤确定所述预设算法;基于辐照测试后的原始数据块对应的辐照数据块和预设算法,生成辐照数据块对应的识别字段作为辐照识别字段;基于所述原始识别字段和所述辐照识别字段,识别并定位原始数据块经辐照测试后发生的损伤。本发明基于数据块在辐照测试前后分别对应的数据量较小的识别字段,来识别并定位原始数据块经辐照测试后发生的损伤,从而有助于快速分析芯片的抗辐照性能。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种应用于存储器芯片的抗辐照检测方法
专利类型 发明申请
申请号 CN202410190182.7
申请日 2024/2/21
公告号 CN117743062A
公开日 2024/3/22
IPC主分类号 G06F11/22
权利人 北京怀美科技有限公司
发明人 杨威
地址 北京市怀柔区雁栖经济开发区雁栖大街53号院13号楼2层01-232-12

专利主权项内容

1.一种应用于存储器芯片的抗辐照检测方法,其特征在于,包括:基于辐照测试前的原始数据块和预设算法,生成原始数据块对应的识别字段作为原始识别字段,其中,基于写入存储器的原始数据块在辐照环境下的预计损伤确定所述预设算法;基于辐照测试后的原始数据块对应的辐照数据块和预设算法,生成辐照数据块对应的识别字段作为辐照识别字段;基于所述原始识别字段和所述辐照识别字段,识别并定位原始数据块经辐照测试后发生的损伤。