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功率二极管及其制备方法
摘要文本
本申请涉及一种功率二极管及其制备方法。该功率二极管包括依次层叠的第一导电类型结构、半导体结构和第二导电类型结构;半导体结构靠近第二导电类型结构的表面具有向第一导电类型结构所在方向延伸的岛状区域;第二导电类型结构包括平面部及凸出部;其中,凸出部与岛状区域一一对应设置,平面部与凸出部相连接,平面部的掺杂浓度小于或等于凸出部的掺杂浓度。本申请可以实现静态正向导通特性与动态反向恢复特性的折中优化,减少功率二极管的双极退化现象,有利于提升功率二极管的电学性能。
申请人信息
- 申请人:北京怀柔实验室; 北京智慧能源研究院
- 申请人地址:101400 北京市怀柔区杨雁东一路8号
- 发明人: 北京怀柔实验室; 北京智慧能源研究院
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 功率二极管及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410192311.6 |
| 申请日 | 2024/2/21 |
| 公告号 | CN117747673A |
| 公开日 | 2024/3/22 |
| IPC主分类号 | H01L29/861 |
| 权利人 | 北京怀柔实验室; 北京智慧能源研究院 |
| 发明人 | 金锐; 和峰; 刘江; 李翠 |
| 地址 | 北京市怀柔区杨雁东一路8号院5号楼319室; 北京市昌平区未来科技城滨河大道18号 |
专利主权项内容
1.一种功率二极管,其特征在于,包括依次层叠的第一导电类型结构、半导体结构和第二导电类型结构;所述半导体结构靠近所述第二导电类型结构的表面具有向所述第一导电类型结构所在方向延伸的岛状区域;所述第二导电类型结构包括平面部及凸出部;其中,所述凸出部与所述岛状区域一一对应设置;所述平面部与所述凸出部相连接,所述平面部的掺杂浓度小于或等于所述凸出部的掺杂浓度。