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一种钯钌基高熵合金纳米片及其制备方法和应用

申请号: CN202410216820.8
申请人: 华北电力大学
申请日期: 2024/2/28

摘要文本

本发明提供了一种钯钌基高熵合金纳米片及其制备方法和应用,涉及催化剂技术领域。本发明提供的钯钌基高熵合金纳米片包括钯元素、钌元素和辅助金属元素;所述辅助金属元素包括锇元素、铱元素、铼元素、锰元素、铑元素和铂元素中的至少三种;所述钯钌基高熵合金纳米片具有面心立方晶格单相固溶体结构以及二维纳米片形貌特征;所述钯钌基高熵合金纳米片的厚度为1~2nm。本发明提供的钯钌基高熵合金纳米片高效稳定、具有优异甲酸氧化电催化性能,其制备方法简易可行、便于大批量生产。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种钯钌基高熵合金纳米片及其制备方法和应用
专利类型 发明申请
申请号 CN202410216820.8
申请日 2024/2/28
公告号 CN117798357A
公开日 2024/4/2
IPC主分类号 B22F1/054
权利人 华北电力大学
发明人 刘建国; 孙英俊; 温佳豪; 李佳; 杨天让
地址 北京市昌平区回龙观北农路2号

专利主权项内容

1.一种钯钌基高熵合金纳米片,包括钯元素、钌元素和辅助金属元素;所述辅助金属元素包括锇元素、铱元素、铼元素、锰元素、铑元素和铂元素中的至少三种;所述钯钌基高熵合金纳米片具有面心立方晶格单相固溶体结构以及二维纳米片形貌特征;所述钯钌基高熵合金纳米片的厚度为1~2nm。