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一种高功率VCSEL芯片的微通道水冷散热结构
摘要文本
本发明公开了一种高功率VCSEL芯片的微通道水冷散热结构，包括：自上而下依次设置的VCSEL芯片以及上下键合而成的湍流散热层、横向分流层和进出水层；湍流散热层内刻蚀有沿左右方向平行排布多个微通道，每个微通道底部的前后方向刻蚀有第一进口和第一出口；横向分流层上表面的前后方向上刻蚀有进水通道以及出水通道，横向分流层的下表面刻蚀有第二进口以及第二出口；进出水层上刻蚀有进水口以及出水口，进水口、第二进口、进水通道、第一进口、微通道、第一出口、出水通道、第二出口和出水口顺序连通。本发明通过周期性改善流动混合以及通过产生二次流来增加湍流率来提高传热系数，将热量更快导出，实现更高的散热效率。
申请人信息
- 申请人:北京工业大学
- 申请人地址:100124 北京市朝阳区平乐园100号
- 发明人: 北京工业大学
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种高功率VCSEL芯片的微通道水冷散热结构 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410035594.3 |
| 申请日 | 2024/1/10 |
| 公告号 | CN117691457A |
| 公开日 | 2024/3/12 |
| IPC主分类号 | H01S5/024 |
| 权利人 | 北京工业大学 |
| 发明人 | 代京京; 汪洁; 王智勇; 李尉; 罗建军 |
| 地址 | 北京市朝阳区平乐园100号 |
专利主权项内容
1.一种高功率VCSEL芯片的微通道水冷散热结构，该微通道水冷散热结构置于高功率VCSEL芯片的底部散热面上，其特征在于，包括：自上而下依次设置的湍流散热层、横向分流层和进出水层；所述湍流散热层、横向分流层和进出水层上下键合而成，所述湍流散热层、横向分流层和进出水层的材料选择与高功率VCSEL芯片材料晶格匹配、热膨胀系数处于相接近的范围内、高导热率的化合物半导体材料；所述湍流散热层内刻蚀有沿左右方向平行排布多个微通道，构成微通道阵列，且所述高功率VCSEL芯片位于所述微通道阵列的上方；每个所述微通道底部的前后方向刻蚀有与微通道相连通的第一进口和第一出口；所述横向分流层上表面的前后方向上刻蚀有与所有所述第一进口相连通的进水通道以及与所有所述第一出口相连通的出水通道，所述横向分流层的下表面刻蚀有与所述进水通道相连通的第二进口以及与所述出水通道相连通的第二出口；所述进出水层上刻蚀有与所述第二进口相连通的进水口以及与所述第二出口相连通的出水口。