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一种电解质薄膜及制备方法

申请号: CN202410018314.8
申请人: 博研嘉信(北京)科技有限公司
申请日期: 2024/1/4

摘要文本

本发明属于固态聚合物电解质技术领域,具体涉及一种电解质薄膜及制备方法。该制备方法先采用无机导电填料、双三氟甲磺酰亚胺锂、聚氧化乙烯和聚己内酯制备第一聚合物电解质;再将采用纳米硅、双三氟甲磺酰亚胺锂和聚氧化乙烯制备得到第二聚合物电解质前驱液涂布在第一聚合物电解质上,定型后得到电解质薄膜。该制备方法的采用纳米硅和PEO基电解质复合制备负极侧改性层,用于锚定负极侧的锂枝晶,有效延缓了大电流密度下锂枝晶对电解质的穿透;采用链段聚合物PEO与PCL为基体,无机导电填料与电解质复合制备正极侧改性层,提高离子电导率。 来自:

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种电解质薄膜及制备方法
专利类型 发明申请
申请号 CN202410018314.8
申请日 2024/1/4
公告号 CN117577934A
公开日 2024/2/20
IPC主分类号 H01M10/0565
权利人 博研嘉信(北京)科技有限公司
发明人 王勇领; 吴彬杰; 许海东; 江美珂; 陈鹤; 鲍贵城
地址 北京市朝阳区吉庆里14号楼14层1602

专利主权项内容

1.一种电解质薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S1:将无机导电填料与双三氟甲磺酰亚胺锂加入乙腈中搅拌,再加入聚氧化乙烯与聚己内酯的混合粉末继续搅拌,得到第一聚合物电解质前驱液;S2:将第一聚合物电解质前驱液涂布后定型,得到第一聚合物电解质;S3:将纳米硅与双三氟甲磺酰亚胺锂倒入乙腈中搅拌,再加入聚氧化乙烯继续搅拌,得到第二聚合物电解质前驱液;S4:将第二聚合物电解质前驱液涂布在第一聚合物电解质上,定型后得到电解质薄膜。