基于埋入式硅基的大阵列APD基板及制备方法、功能芯片

摘要文本

本申请提供一种基于埋入式硅基的大阵列APD基板及制备方法、功能芯片，涉及电子制造领域，包括：提供晶圆基底；对晶圆基底的第一侧进行刻蚀处理，在晶圆基底的第一侧形成第一数量的填埋槽；将多个APD单元填入多个填埋槽的中心区域内，以使APD单元与填埋槽的槽底键合，APD单元为APD芯片阵列或APD芯片，APD芯片阵列包含阵列排布的多个APD芯片；对晶圆基底的第一侧进行表面钝化处理，得到大阵列APD基板。本申请通过在晶圆基底上形成填埋槽，并将数量较少APD芯片阵列或APD芯片填充在填埋槽内构成大阵列APD基板，该制备方法在保证较高良率的同时，简化生成工艺流程，降低成本，实现高密度、大规模、高性能的大阵列APD基板的制备。