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一种基于手机PDR的面状磁场指纹库快速构建方法

申请号: CN202410195685.3
申请人: 中国科学院空天信息创新研究院
申请日期: 2024/2/22

摘要文本

本发明提供一种基于手机PDR的面状磁场指纹库快速构建方法,属于室内定位技术领域,包括:步骤1、进行PDR结果解算,得到原始路径信息;步骤2、根据先验信息,修正脚步点,构建采集路径;步骤3、将磁场信息进行水平面投影,提取磁场的水平分量和垂直分量;步骤4、选择磁场建库网格尺寸,构建磁场库。本发明能够实现磁场信息和位置信息的快速关联。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种基于手机PDR的面状磁场指纹库快速构建方法
专利类型 发明申请
申请号 CN202410195685.3
申请日 2024/2/22
公告号 CN117760414A
公开日 2024/3/26
IPC主分类号 G01C21/08
权利人 中国科学院空天信息创新研究院
发明人 张文超; 曹磊; 魏东岩; 陈嘉伟; 刘晓宙; 王冠; 刘雨欣; 袁洪
地址 北京市海淀区北四环西路19号

专利主权项内容

1.一种基于手机PDR的面状磁场指纹库快速构建方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1、进行PDR结果解算,得到原始路径信息,所述原始路径信息包括步长估计的结果、航向估计的结果和脚步点的坐标数据;PDR表示行人航位推算算法;步骤2、测量待建库区域的尺寸作为修正脚步点的坐标数据的先验信息,使用最小二乘平差的方法来完成脚步点的坐标数据的修正;步骤3、使用磁场强度信息的水平量和垂直量分别建立磁场指纹库,从原始的三轴磁力计输出的磁场强度信息中,利用三轴加速度计的输出解算得到水平姿态信息,利用向量投影的原理,完成磁场强度信息的水平量和垂直量的分离和提取;步骤4、将脚步点的坐标数据和磁场强度信息相关联,根据实际需求,选择磁场指纹库的网格大小,构建出磁场指纹库基准网格点的坐标信息,然后利用插值的方法,得到基准网格点处的磁场强度信息,从而构建完整的磁场指纹库。