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基于激光加工的微凸点基板及制备方法、微凸点互联结构
摘要文本
来自马-克-数-据-官网 本申请提供一种基于激光加工的微凸点基板及制备方法、微凸点互联结构,涉及电子制造领域,包括:提供晶圆基底;在所述晶圆基底的一侧形成掩膜层,基于激光处理工艺对掩膜层进行曝光处理,在掩膜层形成多个贯穿掩膜层的通孔,并在通孔内填充第一金属;去除掩膜层,对晶圆基底靠近所述第一金属的一侧进行刻蚀处理,形成阵列排布的多个微凸点,微凸点的直径小于或等于2μm;在微凸点的间隙中形成绝缘层,得到微凸点基板。本申请通过激光处理工艺对掩膜层进行处理,可以在掩膜层上形成直径更小、厚度更大的通孔,基于激光处理工艺形成的通孔可以制备得到具有直径小于2微米的微凸点的基板。
申请人信息
- 申请人:北京大学
- 申请人地址:100871 北京市海淀区颐和园路5号
- 发明人: 北京大学
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 基于激光加工的微凸点基板及制备方法、微凸点互联结构 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410190422.3 |
| 申请日 | 2024/2/21 |
| 公告号 | CN117747455A |
| 公开日 | 2024/3/22 |
| IPC主分类号 | H01L21/60 |
| 权利人 | 北京大学 |
| 发明人 | 陈浪; 王玮 |
| 地址 | 北京市海淀区颐和园路5号 |
专利主权项内容
1.一种基于激光加工的微凸点基板制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:提供晶圆基底;在所述晶圆基底的一侧形成掩膜层,基于激光处理工艺对所述掩膜层进行曝光处理,在所述掩膜层形成多个贯穿所述掩膜层的通孔,并在所述通孔内填充第一金属;去除所述掩膜层,对所述晶圆基底靠近所述第一金属的一侧进行刻蚀处理,形成阵列排布的多个微凸点,所述微凸点的直径小于或等于2μm;在所述微凸点的间隙中形成绝缘层,得到所述微凸点基板。。微信公众号马克 数据网