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晶体管自热效应仿真方法、装置及电子设备
摘要文本
本发明涉及微电子工程技术领域，提供一种晶体管自热效应仿真方法、装置及电子设备，其中的方法包括：基于漂移扩散模型对待仿真器件进行恒定温度下的电学仿真，得到第一电学特性参数；根据第一电学特性参数，获取待仿真器件内部的热源分布；根据待仿真器件内部的热源分布，对待仿真器件进行声子蒙特卡洛模拟，得到待仿真器件内部的温度分布；基于待仿真器件内部的温度分布，对待仿真器件再次进行电学仿真，得到第二电学特性参数；在第一电学特性参数与第二电学特性参数满足预设条件的情况下，导出待仿真器件内部的热源分布。该方法能够捕捉声子输运特性，获取精确地的温度场，还能够精确地获取晶体管内的产热分布，更好地反映晶体管的自热效应。 （更多数据，详见）
申请人信息
- 申请人:清华大学
- 申请人地址:100084 北京市海淀区双清路30号清华大学清华园北京100084-82信箱
- 发明人: 清华大学
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 晶体管自热效应仿真方法、装置及电子设备 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410141055.8 |
| 申请日 | 2024/2/1 |
| 公告号 | CN117688783A |
| 公开日 | 2024/3/12 |
| IPC主分类号 | G06F30/20 |
| 权利人 | 清华大学 |
| 发明人 | 曹炳阳; 唐正来; 沈扬 |
| 地址 | 北京市海淀区清华园 |
专利主权项内容
来源：百度搜索 1.一种晶体管自热效应仿真方法，其特征在于，包括：S110，基于漂移扩散模型，对待仿真器件进行恒定温度下的电学仿真，得到所述待仿真器件的第一电学特性参数，所述待仿真器件为晶体管；S120，根据所述待仿真器件的第一电学特性参数，获取待仿真器件内部的热源分布；S130，根据所述待仿真器件内部的热源分布，对所述待仿真器件进行声子蒙特卡洛模拟，得到所述待仿真器件内部的温度分布；S140，基于所述待仿真器件内部的温度分布，对所述待仿真器件再次进行电学仿真，得到所述待仿真器件的第二电学特性参数；S150，在所述第一电学特性参数与所述第二电学特性参数满足预设条件的情况下，晶体管自热效应仿真收敛，导出所述待仿真器件内部的热源分布。