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横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路
摘要文本
本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路，涉及半导体技术领域。晶体管包括：衬底、阱区、体区、漂移区、源极、漏极、栅极和场板，场板形成于漂移区内，场板形成区域为通过刻蚀工艺形成的碗状凹槽，场板包括内壁氧化层和氧化填充层，内壁氧化层形成于碗状凹槽贴近漂移区的槽壁和槽底，内壁氧化层为平滑的层状结构，在碗状凹槽内形成碗状填充区域，氧化填充层填充于碗状填充区域内，内壁氧化层的致密性大于氧化填充层的致密性。通过本发明提供的晶体管，能够减少场板的尖角结构，不易产生电场集中，提高击穿电压，改善可靠性，减小器件面积。。 （更多数据，详见）
申请人信息
- 申请人:北京智芯微电子科技有限公司
- 申请人地址:100192 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园A区3号楼
- 发明人: 北京智芯微电子科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410029501.6 |
| 申请日 | 2024/1/9 |
| 公告号 | CN117542880A |
| 公开日 | 2024/2/9 |
| IPC主分类号 | H01L29/40 |
| 权利人 | 北京智芯微电子科技有限公司 |
| 发明人 | 安铁雷; 陈燕宁; 刘芳; 余山; 王凯; 吴波; 邓永峰; 连亚军 |
| 地址 | 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园A区3号楼 |
专利主权项内容
1.一种横向双扩散场效应晶体管，包括：衬底、阱区、体区、漂移区、源极、漏极和栅极，其特征在于，所述横向双扩散场效应晶体管还包括：场板，形成于所述漂移区内，场板形成区域为通过刻蚀工艺形成的碗状凹槽；所述场板包括内壁氧化层和氧化填充层，所述内壁氧化层为平滑的层状结构，形成于所述碗状凹槽贴近漂移区的槽壁和槽底，所述内壁氧化层在所述碗状凹槽内形成碗状填充区域；所述氧化填充层填充于所述碗状填充区域内，所述内壁氧化层的致密性大于所述氧化填充层的致密性。