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基于薄膜铌酸锂波导的光学器件、制备方法及工作方法

申请号: CN202410073710.0
申请人: 北京航空航天大学
申请日期: 2024/1/18

摘要文本

本发明公开了一种基于薄膜铌酸锂波导的光学器件、制备方法及工作方法,属于光学领域,包括集成设置于同一芯片上且沿光路依次布置的光分束器、光片上起偏器和光调制器,光分束器与光片上起偏器之间以及光片上起偏器与光调制器之间均通过薄膜铌酸锂波导进行光互联;薄膜铌酸锂波导包括由下到上依次设置的Si基底层、SiO2下包层、薄膜铌酸锂波导芯层、SiO2上包层和金属电极层。本发明采用上述结构的基于薄膜铌酸锂波导的光学器件、制备方法及工作方法,通过薄膜铌酸锂波导进行各器件之间的级联,保证了波导结构的一致性以及器件整体结构的小型化。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 基于薄膜铌酸锂波导的光学器件、制备方法及工作方法
专利类型 发明授权
申请号 CN202410073710.0
申请日 2024/1/18
公告号 CN117590628B
公开日 2024/3/29
IPC主分类号 G02F1/035
权利人 北京航空航天大学
发明人 李鑫宇; 冯丽爽; 焦洪臣; 裴文轩; 王思源; 周震; 冯迪
地址 北京市海淀区学院路37号

专利主权项内容

1.一种基于薄膜铌酸锂波导的光学器件,其特征在于:包括集成设置于同一芯片上且沿光路依次布置的光分束器、光片上起偏器和光调制器,光分束器与光片上起偏器之间以及光片上起偏器与光调制器之间均通过薄膜铌酸锂波导进行光互联;薄膜铌酸锂波导包括由下到上依次设置的Si基底层、SiO下包层、薄膜铌酸锂波导芯层、SiO上包层和金属电极层;22光分束器经过两个薄膜铌酸锂波导分别与两路光片上起偏器级联,再进入光调制器,光片上起偏器的偏振消光比不小于40dB;光片上起偏器包括上波导和下波导,上波导和下波导均为弯曲波导,弯曲波导包括输入波导和输出波导,上波导的输入波导和下波导的输入波导为同心圆弧波导,光片上起偏器的重要结构参数包括波导同心角,上下波导间距,以及上下波导的弯曲半径,同心圆弧的圆心角为13-15°,上波导的半径大于100µm,下波导的弯曲半径为上波导半径加波导间距,波导间距为0.4-0.6µm。