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具有室温塑性的低膨胀难熔高熵合金及制备和应用
摘要文本
本发明公开了一种具有室温塑性的低膨胀难熔高熵合金及制备和应用。该具有室温塑性的低膨胀难熔高熵合金的化学式为NbaTabTicWdAle,其中,0<a≤35at%,0<b≤35at%,0<c≤35at%,0<d≤35at%,0<e≤35at%,且a+b+c+d+e=100,且高熵合金的合金铸态组织均为单相BCC结构。本发明的有益效果是,通过调整合金各个元素含量和价电子浓度进行成分设计,使其同时具有稳定的BCC单相结构、超宽温区的低热膨胀、良好的室温塑性、恒定的无磁特征,以满足新型封接合金在宽温区、无磁等方向的新标准;同时制取方式操作简单易实现,操作过程能耗低无污染,有广阔的工业应用前景。
申请人信息
- 申请人:北京科技大学
- 申请人地址:100083 北京市海淀区学院路30号
- 发明人: 北京科技大学
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 具有室温塑性的低膨胀难熔高熵合金及制备和应用 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410170011.8 |
| 申请日 | 2024/2/6 |
| 公告号 | CN117701975A |
| 公开日 | 2024/3/15 |
| IPC主分类号 | C22C30/00 |
| 权利人 | 北京科技大学 |
| 发明人 | 邢献然; 谭欣; 林鲲; 苏芨玄; 曹宜力; 余成意 |
| 地址 | 北京市海淀区学院路30号 |
专利主权项内容
1.一种具有室温塑性的低膨胀难熔高熵合金,其特征在于,所述具有室温塑性的低膨胀难熔高熵合金的化学式为NbTaTiWAl,各组分的原子的百分比为:0<a≤35at%,0<b≤35at%,0<c≤35at%,0<d≤35at%,0<e≤35at%,且a+b+c+d+e=100,余量不可避免的杂质。abcde