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一种低磁场的稀土-铁-硅磁制冷材料、制备方法及用途
摘要文本
本发明公开了一种低磁场的稀土‑铁‑硅磁制冷材料、制备方法及用途，磁制冷材料在＜7K的超低温区、0‑2 T磁场变化下，磁制冷材料的磁熵变峰值不低于9 J·kg‑1·K‑1，磁制冷材料为以下通式的化合物：RFe2Si2，RFe2Si2为ThCr2Si2型体心四方结构，其中，R为稀土元素；R满足以下通式关系：AxBy，A为Er、Ho元素中的一种，B为Gd、Tm元素中的至少一种，x+y=1，1≥x≥0.2。通过本发明制备得到的稀土‑铁‑硅磁制冷材料，制备工艺简捷，成本低，并且在超低温区(＜7K)、低磁场(0‑2 T)变化下呈现出大磁热效应，具有重要的应用价值。 来自：马 克 团 队
申请人信息
- 申请人:北京科技大学
- 申请人地址:100083 北京市海淀区学院路30号
- 发明人: 北京科技大学
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种低磁场的稀土-铁-硅磁制冷材料、制备方法及用途 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202410091966.4 |
| 申请日 | 2024/1/23 |
| 公告号 | CN117637274B |
| 公开日 | 2024/3/29 |
| IPC主分类号 | H01F1/01 |
| 权利人 | 北京科技大学 |
| 发明人 | 郑新奇; 王守国; 王鼎淞; 高亚伟; 刘昊; 甄珊珊; 潘洋; 高嘉浩; 张静言 |
| 地址 | 北京市海淀区学院路30号 |
专利主权项内容
1.一种低磁场的稀土-铁-硅磁制冷材料，其特征在于，磁制冷材料在＜7K的超低温区、0-2 T磁场变化下，磁制冷材料的磁熵变峰值不低于9 J·kg·K，磁制冷材料为以下通式的化合物：RFeSi，RFeSi为ThCrSi型体心四方结构，其中，R为稀土元素；-1-1222222R满足以下通式关系：AB，A为Er、Ho元素中的一种，B为Gd、Tm元素中的至少一种，x+y=1，1≥x≥0.2。xy