一种半导体结构的制造方法、芯片和电子设备

摘要文本

本公开涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种半导体结构的制造方法、芯片和电子设备，包括：在衬底中形成深阱区域；形成浅隔离槽，用于在所述深阱区域中隔离出有源区；在所述有源区中执行离子注入，形成第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区，所述第一掺杂区位于所述第二掺杂区下方并且具有比所述第二掺杂区更大的宽度；在所述有源区中定义欧姆接触区域和肖特基区域；通过合金层与欧姆接触区域和肖特基区域形成接触孔区域。本发明针对寄生结构肖特基无法调节和耐压性不强的问题，通过第一掺杂区给予寄生肖特基器件一定的调节能力，可有效降低肖特基二极管正向的开启电压，增大正向电流导通能力，提高肖特基二极管耐压能力。