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预测方法及装置、电子设备与存储介质
摘要文本
一种芯片的片上网络拓扑性能的预测方法及装置、电子设备与存储介质。片上网络包括多个节点,多个节点包括第一节点和与第一节点连接的至少一个第二节点。该预测方法包括:通过目标激励模块将激励输入第一节点,其中,激励包括多个激励配置文件;基于每个激励配置文件,执行第一节点与目标运算模块之间、第一节点与第二节点之间、第一节点与目标激励模块之间的数据传输;记录每个激励配置文件下的第一节点与目标运算模块之间、第一节点与第二节点之间、第一节点与目标激励模块之间的数据传输的目标访存耗时。该预测方法可以快速验证NoC拓扑的预期性能,实现了NoC拓扑性能预测的快速迭代,有利于探索并指导新一代芯片的片上网络拓扑设计。 马 克 数 据 网
申请人信息
- 申请人:北京壁仞科技开发有限公司; 上海壁仞科技股份有限公司
- 申请人地址:100085 北京市海淀区上地信息路26号1层0106-508室
- 发明人: 北京壁仞科技开发有限公司; 上海壁仞科技股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 预测方法及装置、电子设备与存储介质 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410190259.0 |
| 申请日 | 2024/2/21 |
| 公告号 | CN117768356A |
| 公开日 | 2024/3/26 |
| IPC主分类号 | H04L43/0817 |
| 权利人 | 北京壁仞科技开发有限公司; 上海壁仞科技股份有限公司 |
| 发明人 | 请求不公布姓名; 请求不公布姓名; 请求不公布姓名 |
| 地址 | 北京市朝阳区望京东园四区13号楼-4至33层101内10层201室; 上海市闵行区陈行公路2388号16幢13层1302室 |
专利主权项内容
1.一种芯片的片上网络拓扑性能的预测方法,其中,所述片上网络包括多个节点,所述多个节点中的每个节点与对应的运算模块和激励模块连接,所述多个节点包括第一节点和与所述第一节点连接的至少一个第二节点,所述第一节点与对应的目标运算模块和目标激励模块连接,所述预测方法包括:通过所述目标激励模块将激励输入所述第一节点,其中,所述激励包括多个激励配置文件;基于所述多个激励配置文件中的每个激励配置文件,执行所述第一节点与所述目标运算模块之间、所述第一节点与所述至少一个第二节点之间、所述第一节点与所述目标激励模块之间的数据传输;记录所述每个激励配置文件下的所述第一节点与所述目标运算模块之间、所述第一节点与所述至少一个第二节点之间、所述第一节点与所述目标激励模块之间的数据传输的目标访存耗时。