横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路

专利主权项内容

1.一种横向双扩散场效应晶体管，包括：衬底、体区、漂移区、源极、漏极和栅极，其特征在于，所述横向双扩散场效应晶体管还包括：场板，形成于所述漂移区内，场板形成区域包括：依次通过干法刻蚀和湿法刻蚀工艺形成的碗状凹槽，以及形成于碗状凹槽底部的倒梯形凹槽；所述场板包括内壁氧化层和氧化填充层；所述内壁氧化层为通过刻蚀倒梯形凹槽前和刻蚀倒梯形凹槽后的两次热氧化工艺形成的平滑的层状结构，形成于碗状凹槽贴近漂移区的槽壁和槽底以及倒梯形凹槽贴近漂移区的槽壁和槽底，由此在场板形成区域内形成碗状填充区域和倒梯形填充区域；所述氧化填充层填充于所述碗状填充区域和所述倒梯形填充区域内；所述内壁氧化层的致密性大于所述氧化填充层的致密性。