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基于聚苯乙烯类碘鎓盐及其光刻胶组合物
摘要文本
本发明提供式(I)所示基于聚苯乙烯类碘鎓盐及其光刻胶组合物。本发明式(I)所示聚合物合成过程简单，原料便宜易得；所述苯乙烯碘鎓盐聚合物可用做光刻胶组合物中的主体材料，所得到的图案具有非常高的分辨率和低的线宽粗糙度。所述苯乙烯碘鎓盐聚合物通过改变碘鎓盐结构，使其具有长的吸收波长，因此可以用于深紫外光刻。
申请人信息
- 申请人:中国科学院理化技术研究所
- 申请人地址:100190 北京市海淀区中关村东路29号
- 发明人: 中国科学院理化技术研究所
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 基于聚苯乙烯类碘鎓盐及其光刻胶组合物 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410160844.6 |
| 申请日 | 2024/2/5 |
| 公告号 | CN117700586A |
| 公开日 | 2024/3/15 |
| IPC主分类号 | C08F8/30 |
| 权利人 | 中国科学院理化技术研究所 |
| 发明人 | 李嫕; 姚昕迪; 陈金平; 于天君; 曾毅 |
| 地址 | 北京市海淀区中关村东路29号 |
专利主权项内容
1.一种基于苯乙烯的二芳基碘鎓盐的聚合物，其特征在于，结构如下式(I)所示：其中，x和y表示聚合物中两种单体的摩尔含量百分比，x+y=1，0.3＜y≤1；s为0、1、2或3；环A选自C芳基或5-20元杂芳基；6-20R相同或不同，各自独立地选自C环烷基、C芳基、5-20元杂芳基、3-20元杂环基、C芳基并3-20元杂环基；所述C环烷基、C芳基、5-20元杂芳基、3-20元杂环基、C芳基并3-20元杂环基任选被一个、两个或更多个R’取代，R’相同或不同，彼此独立地选自卤素、氧代、硝基、CN、C烷基或C烷氧基；a13-206-206-203-206-206-20aa1-151-15R的位置为对位、间位或邻位；bR选自H、OH、卤素、C烷基、C烷氧基、C芳基；b1-151-156-20q选自1-5的整数；X选自卤离子、烷基磺酸根、三氟甲磺酸根、全氟丙基磺酸根、全氟丁基磺酸根、对甲苯磺酸根、四氟硼酸根、六氟磷酸根、双三氟甲烷磺酰亚氨离子。–