一种雪崩光电二极管及其制作方法、光电探测器

专利主权项内容

1.一种雪崩光电二极管，其特征在于，包括：衬底、轻掺杂半导体层、重掺杂半导体层、第一掺杂结构以及与所述第一掺杂结构的掺杂类型不同的第二掺杂结构，所述轻掺杂半导体层的掺杂类型、所述重掺杂半导体层的掺杂类型和所述第二掺杂结构的掺杂类型相同；所述轻掺杂半导体层形成在所述衬底的上表面上方，所述第一掺杂结构、所述重掺杂半导体层和所述第二掺杂结构沿着所述轻掺杂半导体层的延展方向设在所述轻掺杂半导体层内，所述重掺杂半导体层位于所述第一掺杂结构的侧面和所述第二掺杂结构的侧面之间；所述重掺杂半导体层的第一侧面与所述第一掺杂结构的侧面接触，所述第一掺杂结构的下表面在所述轻掺杂半导体层内的深度大于所述第二掺杂结构的下表面在所述轻掺杂半导体层内的深度，所述重掺杂半导体层的下表面在所述轻掺杂半导体层内的深度大于所述第二掺杂结构的下表面在所述轻掺杂半导体层内的深度。