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一种压电衬底结构及其制备方法

申请号: CN202410026551.9
申请人: 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司; 青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司
申请日期: 2024/1/9

摘要文本

本发明公开了一种压电衬底结构及其制备方法,压电衬底结构包括:基板、第一沉积层、第二沉积层、压电层和键合反应层;所述键合反应层为不连续的金属氧化物层;所述基板、所述第一沉积层、所述第二沉积层和所述压电层依次层叠设置;所述键合反应层位于所述基板与所述第一沉积层之间;或者,位于所述第一沉积层与所述第二沉积层之间;或者,位于所述第二沉积层与所述压电层之间。本发明可以增加键合界面的附着强度,使得键合强度大于1.5J/m2;还有利于提升波的反射,制备所得的声表面波滤波器,声波损失率小于0.005%,有助于提高器件的稳定性和性能。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种压电衬底结构及其制备方法
专利类型 发明申请
申请号 CN202410026551.9
申请日 2024/1/9
公告号 CN117545337A
公开日 2024/2/9
IPC主分类号 H10N30/00
权利人 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司; 青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司
发明人 母凤文; 郭超; 于佳杨
地址 北京市海淀区花园北路25号小关(厂南区)4号楼1层146; 山西省晋城市晋城经济技术开发区金鼎路东、顺安街南创新创业产业园10号楼

专利主权项内容

1.一种压电衬底结构,其特征在于,包括:基板、第一沉积层、第二沉积层、压电层和键合反应层;所述键合反应层为不连续的金属氧化物层;所述基板、所述第一沉积层、所述第二沉积层和所述压电层依次层叠设置;所述键合反应层位于所述基板与所述第一沉积层之间;或者,位于所述第一沉积层与所述第二沉积层之间;或者,位于所述第二沉积层与所述压电层之间。。 (来自 )