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一种压电衬底结构及其制备方法
摘要文本
本发明公开了一种压电衬底结构及其制备方法,压电衬底结构包括:基板、第一沉积层、第二沉积层、压电层和键合反应层;所述键合反应层为不连续的金属氧化物层;所述基板、所述第一沉积层、所述第二沉积层和所述压电层依次层叠设置;所述键合反应层位于所述基板与所述第一沉积层之间;或者,位于所述第一沉积层与所述第二沉积层之间;或者,位于所述第二沉积层与所述压电层之间。本发明可以增加键合界面的附着强度,使得键合强度大于1.5J/m2;还有利于提升波的反射,制备所得的声表面波滤波器,声波损失率小于0.005%,有助于提高器件的稳定性和性能。
申请人信息
- 申请人:北京青禾晶元半导体科技有限责任公司; 青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司
- 申请人地址:100083 北京市海淀区花园北路25号小关(厂南区)4号楼1层146
- 发明人: 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司; 青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种压电衬底结构及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410026551.9 |
| 申请日 | 2024/1/9 |
| 公告号 | CN117545337A |
| 公开日 | 2024/2/9 |
| IPC主分类号 | H10N30/00 |
| 权利人 | 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司; 青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司 |
| 发明人 | 母凤文; 郭超; 于佳杨 |
| 地址 | 北京市海淀区花园北路25号小关(厂南区)4号楼1层146; 山西省晋城市晋城经济技术开发区金鼎路东、顺安街南创新创业产业园10号楼 |
专利主权项内容
1.一种压电衬底结构,其特征在于,包括:基板、第一沉积层、第二沉积层、压电层和键合反应层;所述键合反应层为不连续的金属氧化物层;所述基板、所述第一沉积层、所述第二沉积层和所述压电层依次层叠设置;所述键合反应层位于所述基板与所述第一沉积层之间;或者,位于所述第一沉积层与所述第二沉积层之间;或者,位于所述第二沉积层与所述压电层之间。。 (来自 )