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磁存储器及其制备方法、电子设备
摘要文本
本申请提供一种磁存储器及其制备方法、电子设备，涉及半导体技术领域，用于解决存储密度较低的技术问题。该磁存储器包括自旋轨道转矩层、磁隧道结、选择器和隔离层。磁隧道结与自旋轨道转矩层耦接，磁隧道结两侧分别设置有选择器，且磁隧道结与选择器之间设置隔离层，以将磁隧道结与选择器隔开。两个选择器与磁隧道结在自旋轨道转矩层同侧间隔设置，两个选择器均与自旋轨道转矩层耦接，且被配置为允许电流在自旋轨道转矩层沿第一方向或者第二方向流动。通过两个选择器可以改变自旋轨道转矩层内电流的流动方向，无需设置晶体管，可以降低其所占用面积，从而提升磁存储器的存储密度。 来自：
申请人信息
- 申请人:致真存储(北京)科技有限公司
- 申请人地址:100191 北京市海淀区知春路6号(锦秋国际大厦)10层A03
- 发明人: 致真存储(北京)科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 磁存储器及其制备方法、电子设备 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202410001104.8 |
| 申请日 | 2024/1/2 |
| 公告号 | CN117500282B |
| 公开日 | 2024/4/2 |
| IPC主分类号 | H10B61/00 |
| 权利人 | 致真存储(北京)科技有限公司 |
| 发明人 | 熊丹荣; 刘宏喜; 曹凯华; 王戈飞 |
| 地址 | 北京市海淀区知春路6号(锦秋国际大厦)10层A03 |
专利主权项内容
1.一种磁存储器，其特征在于，包括：自旋轨道转矩层、与所述自旋轨道转矩层耦接的磁隧道结、两个选择器，以及设置在所述选择器和所述磁隧道结之间的隔离层；所述两个选择器与所述磁隧道结在所述自旋轨道转矩层同侧间隔设置，所述两个选择器均与所述自旋轨道转矩层耦接，且被配置为允许电流在所述自旋轨道转矩层沿第一方向或者第二方向流动，所述第二方向与所述第一方向相反；所述磁隧道结具有至少两个，每两个所述磁隧道结形成一组，同组的两个所述磁隧道结之间具有一个所述选择器。