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CXL内存模组、内存页交换的方法、芯片、介质和系统

申请号: CN202410201092.3
申请人: 北京超弦存储器研究院
申请日期: 2024/2/23

摘要文本

一种CXL内存模组、内存页交换的方法、芯片、介质和系统,涉及数据访问技术领域,其中,包括控制芯片与控制芯片管理的多个内存芯片,控制芯片被配置为:接收主机发送的内存交换指令;根据内存交换指令,在主机内存中确定待交换的第一内存页;将第一内存页中的数据交换到内存芯片。可以利用CXL内存模组在数据通信方面的卓越性能,大大提高主机与CXL内存模组之间内存页交换的效率,从而提高主机内存的利用率。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 CXL内存模组、内存页交换的方法、芯片、介质和系统
专利类型 发明申请
申请号 CN202410201092.3
申请日 2024/2/23
公告号 CN117785757A
公开日 2024/3/29
IPC主分类号 G06F13/16
权利人 北京超弦存储器研究院
发明人 戴瑾; 张凯; 张云森
地址 北京市大兴区北京经济技术开发区景园北街52幢5层501-12

专利主权项内容

1.一种CXL内存模组,包括控制芯片与所述控制芯片管理的多个内存芯片,其特征在于,所述控制芯片被配置为:接收主机发送的内存交换指令;根据所述内存交换指令,在主机内存中确定待交换的第一内存页;将所述第一内存页中的数据交换到所述内存芯片。