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CXL内存模组、控制芯片、数据处理方法、介质和系统
摘要文本
一种CXL内存模组、控制芯片、数据处理方法、介质和系统，涉及数据访问技术领域，其中，CXL内存模组包括控制芯片以及控制芯片管理的至少一组DRAM芯片，控制芯片设置有缓存，控制芯片被配置为从DRAM芯片读取数据并加载到缓存中，记录数据的DRAM地址和缓存地址的映射关系；接收到主机发送的数据访问指令时，优先对缓存中的数据进行访问当主机的多个CPU核同时对一块地址进行访问时，只需将数据从DRAM芯片读入缓存，再对缓存中的数据进行访问，可以避免DRAM芯片内部的重复读写，降低了CXL内存模组的耗电量。
申请人信息
- 申请人:北京超弦存储器研究院
- 申请人地址:100176 北京市大兴区北京经济技术开发区科创十街18号院11号楼四层401室
- 发明人: 北京超弦存储器研究院
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | CXL内存模组、控制芯片、数据处理方法、介质和系统 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410103990.5 |
| 申请日 | 2024/1/25 |
| 公告号 | CN117632043A |
| 公开日 | 2024/3/1 |
| IPC主分类号 | G06F3/06 |
| 权利人 | 北京超弦存储器研究院 |
| 发明人 | 戴瑾 |
| 地址 | 北京市通州区北京经济技术开发区科创十街18号京东贝科技园11栋4楼 |
专利主权项内容
1.一种CXL内存模组，包括控制芯片以及所述控制芯片管理的至少一组DRAM芯片，其特征在于，所述控制芯片设置有缓存；所述控制芯片被配置为：从所述DRAM芯片读取数据并加载到所述缓存中，记录数据的DRAM地址和缓存地址的映射关系；接收到主机发送的数据访问指令时，优先对所述缓存中的数据进行访问。