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存储单元、存储器、存储器的制备方法、芯片及电子设备
摘要文本
本申请公开了一种存储单元、存储器、存储器的制备方法、芯片及电子设备，属于半导体技术领域。该存储单包括沿平行于衬底的第一方向排布的第一晶体管和第二晶体管；第一晶体管的第一栅极沿垂直于衬底的第二方向延伸，第一晶体管的第二栅极和第一半导体层均沿第一方向延伸，第一栅极环绕第一半导体层，第一半导体层环绕第二栅极；第二晶体管的第三栅极沿第二方向延伸，第二晶体管的第二半导体层与第二栅极连接。本申请提供的新型结构的2T0C存储单元，有利于提高存储器的集成密度和存储密度。
申请人信息
- 申请人:北京超弦存储器研究院
- 申请人地址:100176 北京市大兴区北京经济技术开发区科创十街18号院11号楼四层401室
- 发明人: 北京超弦存储器研究院
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 存储单元、存储器、存储器的制备方法、芯片及电子设备 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410167340.7 |
| 申请日 | 2024/2/6 |
| 公告号 | CN117715419A |
| 公开日 | 2024/3/15 |
| IPC主分类号 | H10B12/00 |
| 权利人 | 北京超弦存储器研究院 |
| 发明人 | 李庚霏; 董博闻; 胡琪; 王桂磊; 赵超 |
| 地址 | 北京市大兴区北京经济技术开发区景园北街52幢5层501-12 |
专利主权项内容
1.一种存储单元，其特征在于，所述存储单元(100)包括沿平行于衬底的第一方向排布的第一晶体管(110)和第二晶体管(120)；所述第一晶体管(110)的第一栅极(111)沿垂直于所述衬底的第二方向延伸，所述第一晶体管(110)的第二栅极(112)和第一半导体层(113)均沿所述第一方向延伸，所述第一栅极(111)环绕所述第一半导体层(113)，所述第一半导体层(113)环绕所述第二栅极(112)；所述第二晶体管(120)的第三栅极(121)沿所述第二方向延伸，所述第二晶体管(120)的第二半导体层(122)与所述第二栅极(112)连接。