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一种纵向碳化硅器件的制作方法
摘要文本
本发明提供一种纵向碳化硅器件的制作方法，包括：获取带有漂移层的碳化硅衬底，并在碳化硅衬底上淀积金属，形成漏极金属层，在漂移层上外延生长源区；在源区上形成阻挡层，并对阻挡层和源区蚀刻至漂移层，形成左右绝缘区，之后对左右绝缘区进行氧化，形成绝缘块；重新形成阻挡层，并对阻挡层和绝缘块蚀刻形成第一栅极绝缘区和第二栅极绝缘区，对第一栅极绝缘区和第二栅极绝缘区进行金属淀积，形成第一栅极金属层和第二栅极金属层；重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成源极金属区，并对源极金属区进行金属淀积，形成源极金属层；去除阻挡层，完成制造，栅控能力强以及体二极管续流能力强。
申请人信息
- 申请人:泰科天润半导体科技(北京)有限公司
- 申请人地址:101300 北京市顺义区中关村科技园区顺义园临空二路1号
- 发明人: 泰科天润半导体科技(北京)有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种纵向碳化硅器件的制作方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410227835.4 |
| 申请日 | 2024/2/29 |
| 公告号 | CN117810088A |
| 公开日 | 2024/4/2 |
| IPC主分类号 | H01L21/336 |
| 权利人 | 泰科天润半导体科技(北京)有限公司 |
| 发明人 | 陈彤; 张长沙; 李昀佶 |
| 地址 | 北京市顺义区中关村科技园区顺义园临空二路1号 |
专利主权项内容
1.一种纵向碳化硅器件的制作方法，其特征在于，包括：步骤1、获取带有漂移层的碳化硅衬底，并在碳化硅衬底上淀积金属，形成漏极金属层，在漂移层上外延生长源区；步骤2、在源区上形成阻挡层，并对阻挡层和源区蚀刻至漂移层，形成左右绝缘区，之后对左右绝缘区进行氧化，形成绝缘块；步骤3、重新形成阻挡层，并对阻挡层和绝缘块蚀刻形成第一栅极绝缘区和第二栅极绝缘区，对第一栅极绝缘区和第二栅极绝缘区进行金属淀积，形成第一栅极金属层和第二栅极金属层；步骤4、重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成源极金属区，并对源极金属区进行金属淀积，形成源极金属层；步骤5、去除阻挡层，完成制造。