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一种锑化镓晶片的抛光方法及所制备的锑化镓抛光片
摘要文本
本发明提供一种锑化镓晶片的抛光方法及所制备的锑化镓抛光片，一种锑化镓晶片的抛光方法包括如下步骤：(1)对锑化镓晶片进行减薄，去除锑化镓晶片表面的损伤与高点等不平整区域；(2)对步骤(1)减薄后的锑化镓晶片采用抛光布配合中抛抛光液进行中抛；中抛抛光液按质量百分比计包括：氧化铝磨料5～20％，含氯氧化剂1～5％，余量为水。本发明提供了一种新的锑化镓晶片的抛光方法。通过减薄结合中抛光的工艺路线实现对锑化镓晶片的抛光。
申请人信息
- 申请人:北京特思迪半导体设备有限公司
- 申请人地址:101300 北京市顺义区杜杨北街3号院6号楼(顺创)
- 发明人: 北京特思迪半导体设备有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种锑化镓晶片的抛光方法及所制备的锑化镓抛光片 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410190646.4 |
| 申请日 | 2024/2/21 |
| 公告号 | CN117733719A |
| 公开日 | 2024/3/22 |
| IPC主分类号 | B24B29/02 |
| 权利人 | 北京特思迪半导体设备有限公司 |
| 发明人 | 王文乾; 孙占帅; 刘泳沣 |
| 地址 | 北京市顺义区杜杨北街3号院6号楼(顺创) |
专利主权项内容
1.一种锑化镓晶片的抛光方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)对锑化镓晶片进行减薄；(2)对步骤(1)减薄后的锑化镓晶片采用抛光布配合中抛抛光液进行中抛；其中，所述中抛抛光液按质量百分比计包括：氧化铝磨料5％～20％，含氯氧化剂1％～5％，余量为水。