MIM电容器中绝缘体薄膜及其制备方法
摘要文本
本发明涉及半导体模拟器件制备技术领域，具体公开一种MIM电容器中绝缘体薄膜及其制备方法，包括以下步骤：(1)提供沉积有底层金属电极的衬底；(2)在步骤(1)所述衬底上溅射绝缘体薄膜，所述绝缘体薄膜包括复合陶瓷薄膜，所述复合陶瓷薄膜采用射频磁控溅射的方法在衬底上溅射得到，所述复合陶瓷为基于铋、钡的钙钛矿钛酸盐氧化物；本发明以钙钛矿钛酸盐氧化物替代常规的二氧化硅、氮化硅等绝缘体薄膜，该绝缘体薄膜显著提高了MIM电容器的电容密度。
申请人信息
- 申请人:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
- 申请人地址:130033 吉林省长春市经济技术开发区东南湖大路3888号
- 发明人: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | MIM电容器中绝缘体薄膜及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410184897.1 |
| 申请日 | 2024/2/19 |
| 公告号 | CN117737676A |
| 公开日 | 2024/3/22 |
| IPC主分类号 | C23C14/35 |
| 权利人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 发明人 | 余毅; 李彦庆; 郭同健; 何锋赟 |
| 地址 | 吉林省长春市经济技术开发区东南湖大路3888号 |
专利主权项内容
1.一种MIM电容器中绝缘体薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)提供沉积有底层金属电极的衬底；(2)在步骤(1)所述衬底上溅射绝缘体薄膜，所述绝缘体薄膜包括复合陶瓷薄膜，所述复合陶瓷薄膜的制备方法是，以复合陶瓷为靶材，在不高于10Pa的背底真空和氧气-氩气混合气氛条件下，采用射频磁控溅射的方法在衬底上溅射得到；-3其中，所述复合陶瓷的制备方法包括以下步骤：以BiO、NaCO、TiO为原料，按化学式BiNaTiO的摩尔比例准确称取各原料，充分混合研磨至均匀，干燥后置于高温炉中进行煅烧，煅烧温度500-560℃，煅烧保温时间1-3h，得到第一产物；以BaO、SbO、SbO、TiO为原料，按化学式BaTiSbO的摩尔比例准确称取各原料，充分混合研磨至均匀，干燥后置于高温炉中进行煅烧，煅烧温度550-600℃，煅烧保温时间1-2h，得到第二产物；将所述第一产物与所述第二产物混合并研磨至均匀，干燥后压制成型，置于高温炉中进行煅烧，煅烧温度400-500℃，煅烧保温时间1-2h，制得所述复合陶瓷；其中，x的取值满足：0.8≤x≤1.0；232320.50.5323252x1-x3所述混合气氛中氧气与氩气的体积比为1：(0.5-2)，溅射功率为200-400W、工作压力为0.5-1Pa。