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一种防漏电抗辐射CMOS器件及其制备方法
摘要文本
本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种防漏电抗辐射CMOS器件及其制备方法，制备方法包括如下步骤：(1)制备改性密胺树脂溶液：称取改性微球加入至预聚密胺树脂溶液内，同时加入聚乙二醇(PEG‑400)，升温至85‑95℃，保温搅拌1‑2h之后，得到改性密胺树脂溶液；(2)制备防漏电抗辐射涂层：将改性密胺树脂溶液涂覆在CMOS器件的表面，干燥后，即得到防漏电抗辐射CMOS器件。本发明通过在CMOS器件的表面涂覆一层保护涂层，使CMOS器件的防漏电性和抗辐射性能得到较大的提升，同时该涂层还具有较高的强度、耐磨性、耐盐雾腐蚀以及耐高温性，能够从多个方面共同保护CMOS器件。
申请人信息
- 申请人:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
- 申请人地址:130033 吉林省长春市经济技术开发区东南湖大路3888号
- 发明人: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种防漏电抗辐射CMOS器件及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410166560.8 |
| 申请日 | 2024/2/6 |
| 公告号 | CN117711959A |
| 公开日 | 2024/3/15 |
| IPC主分类号 | H01L21/56 |
| 权利人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 发明人 | 李彦庆; 郭同健; 何锋赟; 孙守红 |
| 地址 | 吉林省长春市经济技术开发区东南湖大路3888号 |
专利主权项内容
1.一种防漏电抗辐射CMOS器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)制备改性密胺树脂溶液：称取改性微球加入至预聚密胺树脂溶液内，同时加入聚乙二醇(PEG-400)，升温至85-95℃，保温搅拌1-2h之后，得到改性密胺树脂溶液；(2)制备防漏电抗辐射涂层：将改性密胺树脂溶液涂覆在CMOS器件的表面，干燥后，即得到防漏电抗辐射CMOS器件。