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一种硅通孔的形成方法
摘要文本
本发明属于半导体制备技术领域，具体公开一种硅通孔的形成方法，包括以下步骤：提供形成有用于形成硅通孔的凹槽的半导体衬底；在所述硅通孔的凹槽内侧形成镀铜薄膜；在所述镀铜薄膜上沉积钨和锆的氧化物薄膜，在所述氧化物薄膜表面铺设纳米磷酸钒锂，热处理后淬冷；在热处理后的所述氧化物薄膜表面铺设纳米乙酸镁，经二次热处理后洗去多余原料；最后在所述凹槽内电镀填充铜；本发明通过设置热膨胀系数与铜、硅材料相匹配的中间层，可以有效抵消热环境条件下的器件的胀出、开裂等损伤。
申请人信息
- 申请人:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
- 申请人地址:130033 吉林省长春市经济技术开发区东南湖大路3888号
- 发明人: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种硅通孔的形成方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410167914.0 |
| 申请日 | 2024/2/6 |
| 公告号 | CN117712036A |
| 公开日 | 2024/3/15 |
| IPC主分类号 | H01L21/768 |
| 权利人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 发明人 | 余毅; 李彦庆; 郭同健; 何锋赟; 叶武阳 |
| 地址 | 吉林省长春市经济技术开发区东南湖大路3888号 |
专利主权项内容
1.一种硅通孔的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)提供形成有用于形成硅通孔的凹槽的半导体衬底；(2)在所述硅通孔的凹槽内侧形成镀铜薄膜；(3)在所述镀铜薄膜上沉积钨和锆的氧化物薄膜，在所述氧化物薄膜表面铺设纳米磷酸钒锂，热处理后淬冷，洗去多余原料；(4)在热处理后的所述氧化物薄膜表面铺设纳米乙酸镁，经二次热处理后洗去多余原料；(5)在经步骤(2)-(4)处理后的所述凹槽内电镀填充铜；所述镀铜薄膜的制备方法是，先对所述半导体衬底上的凹槽进行清洗，再与磷铜阳极浸入电镀液中进行直流电镀或脉冲电镀，所述电镀液包括铜离子、硫酸、氯离子、添加剂和去离子水，所述添加剂包括加速剂、抑制剂和整平剂；所述电镀液的温度在20-40℃，电镀时间0.5-3min，电流密度为0.5-1A/dm；所述氧化物薄膜通过原子层沉积制得，其制备方法是，向原子层沉积系统的反应腔体内依次通入钨和锆的金属源前驱体、去离子水以及氧等离子体，每次通入后以高纯氮气清洗，冲掉反应副产物以及残留物；重复上述步骤，制得所述氧化物薄膜。2