RB-SiC基底表面改性层的制备装置及方法

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本发明涉及一种RB‑SiC基底表面改性层的制备装置及方法，制备装置包括挡片和驱动件，挡片安装在溅射阴极和RB‑SiC基底之间，并跟随溅射阴极同步移动；驱动件与挡片传动连接，调节挡片的偏转角度。当溅射阴极在RB‑SiC基底上方移动时，挡片跟随溅射阴极同步移动，根据溅射阴极与RB‑SiC基底之间的不同的相对位置，通过驱动件驱动挡片转动，将移动至不同位置的挡片调节至对应的特定的偏转角度，使挡片能够选择性且不同程度地阻挡溅射阴极射出的大角度沉积Si粒子入射到RB‑SiC基底的表面，调节沉积在RB‑SiC基底的表面的各个区域的Si改性层的致密度，使得Si改性层的边缘和中心区域能够获得更好的密度一致性。