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一种基于4H-SiC衬底的高性能CMOS器件
摘要文本
本发明涉及半导体器件技术领域，具体公开了一种基于4H‑SiC衬底的高性能CMOS器件，包括4H‑SiC衬底、NMOS沟道、PMOS外延层、PMOS沟道、NMOS欧姆电极和PMOS欧姆电极，本发明的基于4H‑SiC衬底的高性能CMOS器件，以具有较高热导率的4H‑SiC作为衬底，同时采用具有圆角状鳍片的FinFET结构，一方面可以缓解器件的散热压力，使其可以在高温下稳定工作，另一方面抑制短沟道效应，提升载流子迁移率，栅控能力更强，具有更广阔的应用领域。 微信公众号马克 数据网
申请人信息
- 申请人:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
- 申请人地址:130033 吉林省长春市经济技术开发区东南湖大路3888号
- 发明人: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种基于4H-SiC衬底的高性能CMOS器件 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410160894.4 |
| 申请日 | 2024/2/5 |
| 公告号 | CN117712124A |
| 公开日 | 2024/3/15 |
| IPC主分类号 | H01L27/092 |
| 权利人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 发明人 | 李彦庆; 孙守红; 余毅; 何锋赟 |
| 地址 | 吉林省长春市经济技术开发区东南湖大路3888号 |
专利主权项内容
1.一种基于4H-SiC衬底的高性能CMOS器件，其特征在于，包括4H-SiC衬底(1)、NMOS沟道、PMOS外延层、PMOS沟道、NMOS欧姆电极(10)和PMOS欧姆电极(11)，4H-SiC衬底(1)与NMOS沟道和PMOS外延层相连接，PMOS外延层上方设有PMOS沟道，NMOS沟道上方设有NMOS肖特基栅电极(8)，PMOS沟道上方设有PMOS肖特基栅电极(9)，NMOS沟道的顶部两侧设有NMOS欧姆电极(10)，PMOS沟道的顶部两侧设有PMOS欧姆电极(11)；所述NMOS沟道包括NMOS鳍片(2)和NMOS隔离层(6)，NMOS隔离层(6)设置在NMOS鳍片(2)顶部；所述PMOS沟道包括PMOS鳍片(5)和PMOS隔离层(7)，PMOS隔离层(7)设置在PMOS鳍片(5)顶部；所述PMOS外延层包括外延层一(3)和外延层二(4)，外延层二(4)设置在外延层一(3)顶面。