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一种硅通孔的形成方法
摘要文本
本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种硅通孔的形成方法，具体步骤包括：(1)在硅片表面进行第一次掩膜；(2)通过激光加工在硅片上形成粗通孔；(3)去除第一次掩膜的残留物；(4)再次掩膜，确定精准的通孔位置和尺寸；(5)使用高能离子束对非掩膜区域进行刻蚀；(6)在氧化剂中浸泡去除第二次掩膜残留物。本申请方案将离子束刻蚀和激光通孔技术相结合，可以在保持较高精度的同时，减少刻蚀的加工时间和能量消耗，提高整体加工效率，提高硅通孔的表面质量和平坦度，从而得到理想的硅通孔效果，二次掩膜技术可以进一步提高细节结构的精度和分辨率，在二次掩膜过程中可以对这些问题进行修正，从而得到更加准确和精细的图案。
申请人信息
- 申请人:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
- 申请人地址:130033 吉林省长春市经济技术开发区东南湖大路3888号
- 发明人: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种硅通孔的形成方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410184890.X |
| 申请日 | 2024/2/19 |
| 公告号 | CN117747544A |
| 公开日 | 2024/3/22 |
| IPC主分类号 | H01L21/768 |
| 权利人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 发明人 | 李彦庆; 余毅; 郭同健; 何锋赟; 张海宇 |
| 地址 | 吉林省长春市经济技术开发区东南湖大路3888号 |
专利主权项内容
1.一种硅通孔的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)使用光刻技术在硅片表面进行第一次掩膜；(2)通过激光加工在所述硅片上形成粗通孔；(3)在有机溶剂中浸泡去除所述硅片表面的第一次掩膜的残留物；(4)使用光刻技术在所述硅片表面再次掩膜，并确定精准的通孔位置和尺寸；(5)使用高能离子束对所述硅片表面的非掩膜区域进行刻蚀；(6)在氧化剂中浸泡去除所述硅片表面的第二次掩膜残留物。