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一种混合型CMOS器件及其制作方法
摘要文本
本发明涉及半导体器件制造技术领域，具体涉及一种混合型CMOS器件及其制作方法，制作步骤包括：(1)选取硅片作为衬底，经过化学清洗；(2)使用掩膜技术在衬底表面覆盖一层光刻胶，在p型区域和n型区域注入掺杂剂，快速退火使掺杂的材料与硅晶片结合；(3)在整个硅衬底上生长一层绝缘性氧化层；(4)利用光刻技术在绝缘氧化层上形成多晶硅门电极；(5)在整个器件上沉积金属层；(6)将多余的金属层和绝缘层刻蚀掉。本申请提出的混合型CMOS器件制作方法可以进一步减小器件的尺寸和功耗，实现更小的芯片面积和更高的集成度，制得的混合型CMOS器件具有更广泛的应用领域、更高的集成度和功能性、较低的功耗。
申请人信息
- 申请人:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
- 申请人地址:130033 吉林省长春市经济技术开发区东南湖大路3888号
- 发明人: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种混合型CMOS器件及其制作方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410092726.6 |
| 申请日 | 2024/1/23 |
| 公告号 | CN117613005A |
| 公开日 | 2024/2/27 |
| IPC主分类号 | H01L21/8238 |
| 权利人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 发明人 | 余毅; 李彦庆; 郭同健 |
| 地址 | 吉林省长春市经济技术开发区东南湖大路3888号 |
专利主权项内容
1.一种混合型CMOS器件的制作方法，其特征在于，包括以下制备步骤：(1)选取硅片作为衬底，经过化学清洗，除去所述衬底的表面的杂质和氧化层；(2)在所述衬底的表面覆盖一层光刻胶，将掩膜与所述衬底对准，使用光刻机进行曝光；(3)在所述衬底的p型区域和n型区域注入掺杂剂，快速退火使掺杂的材料与硅晶片结合，使用有机溶剂去除残留的光刻胶；(4)使用化学气相沉积法在所述衬底上生长一层绝缘性氧化层；(5)利用光刻技术在所述衬底的绝缘氧化层上形成多晶硅门电极；(6)在整个器件上沉积金属层；(7)将所述器件上多余的金属层和绝缘层刻蚀掉，形成器件的导线和联系孔。