一种硅通孔的制作方法
摘要文本
关注公众号 本发明涉及半导体技术领域，具体提供一种硅通孔的制作方法，包括步骤一：在基板中需要预制作硅通孔的位置形成凹槽，利用反应离子刻蚀设备对基板进行反应离子刻蚀形成凹槽；反应离子刻蚀设备内开设有刻蚀腔，刻蚀腔内设有夹持机构以及均匀出气机构，均匀出气机构连接外部供气系统，反应离子刻蚀设备连接有抽真空装置；步骤二：在形成有凹槽的基板顶壁形成绝缘层；形成绝缘层后，再去除凹槽底部的绝缘层以保留凹槽侧壁的绝缘层；步骤三：在绝缘层的表面生长硅材料外延层直至填充满凹槽，而后减薄外延层直至暴露出基板顶壁的绝缘层；步骤四：对基板进行背面减薄，直至暴露凹槽，形成填充有外延层及绝缘层的硅通孔。本发明能够提高对基板的刻蚀质量。
申请人信息
- 申请人:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
- 申请人地址:130033 吉林省长春市经济技术开发区东南湖大路3888号
- 发明人: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种硅通孔的制作方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410105230.8 |
| 申请日 | 2024/1/25 |
| 公告号 | CN117637608A |
| 公开日 | 2024/3/1 |
| IPC主分类号 | H01L21/768 |
| 权利人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 发明人 | 余毅; 李彦庆; 何锋赟 |
| 地址 | 吉林省长春市经济技术开发区东南湖大路3888号 |
专利主权项内容
1.一种硅通孔的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：提供基板(6)，在基板(6)中需要预制作硅通孔的位置形成凹槽，利用反应离子刻蚀设备(1)对基板(6)进行反应离子刻蚀形成凹槽；反应离子刻蚀设备(1)内开设有刻蚀腔(2)，刻蚀腔(2)内设有夹持机构以及均匀出气机构，所述均匀出气机构包括充气软管(29)、位移出气装置(30)、固定杆(43)以及第二活塞(48)，均匀出气机构连接外部供气系统；反应离子刻蚀设备(1)侧壁通过抽气管(4)连接有抽真空装置(3)；所述刻蚀腔(2)底壁通过连接通道(26)和反应离子刻蚀设备(1)底壁连通，开启抽真空装置(3)对刻蚀腔(2)进行抽真空，刻蚀腔(2)内气压逐渐变小，外部气压大于刻蚀腔(2)内的气压，从而外部气压把第一活塞(25)往上推动，第一活塞(25)带动第二齿条(24)上移；步骤二：在形成有凹槽的基板(6)顶壁形成绝缘层；形成绝缘层后，再去除凹槽底部的绝缘层以保留凹槽侧壁的绝缘层；步骤三：在绝缘层的表面生长硅材料外延层直至填充满凹槽，而后减薄外延层直至暴露出基板(6)顶壁的绝缘层；步骤四：对基板(6)进行背面减薄，直至暴露凹槽，形成填充有外延层及绝缘层的硅通孔。