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一种CMOS图像传感器辐射响应特性精密校正方法

申请号: CN202410168089.6
申请人: 长光卫星技术股份有限公司
申请日期: 2024/2/6

摘要文本

一种CMOS图像传感器辐射响应特性精密校正方法。其属于空间光学遥感领域,具体涉及图像传感器的高精度辐射定标以及图像预处理技术。所述方法具体包括:S1、提出CMOS图像传感器辐射响应的精密温漂校正模型,建立图像传感器理论响应值与实际响应值、温度之间的多元非线性函数关系;S2、制定辐射定标温漂测试流程,实现温度与光照强度的多工况遍历;S3、采用步骤S2所述流程进行辐射定标数据采集并实现温漂模型参数测定;S4、将温漂模型参数及图像传感器实际响应值代入精密温漂校正模型,解算得到图像传感器辐射理论响应值,实现图像传感器辐射响应特性的精密校正。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种CMOS图像传感器辐射响应特性精密校正方法
专利类型 发明申请
申请号 CN202410168089.6
申请日 2024/2/6
公告号 CN117714905A
公开日 2024/3/15
IPC主分类号 H04N25/60
权利人 长光卫星技术股份有限公司
发明人 贺小军; 鲁旭; 戴路; 于树海; 范黎明; 韦宗喜; 闫磊
地址 吉林省长春市北湖科技开发区明溪路1299号

专利主权项内容

1.一种CMOS图像传感器辐射响应特性精密校正方法,其特征在于,所述校正方法具体为:S1、提出CMOS图像传感器辐射响应的精密温漂校正模型,建立图像传感器理论响应值与实际响应值、温度之间的多元非线性函数关系;S2、制定辐射定标温漂测试流程,实现温度与光照强度的多工况遍历;S3、采用步骤S2所述流程进行辐射定标数据采集并实现温漂模型参数测定;S4、将温漂模型参数及图像传感器实际响应值代入精密温漂校正模型,解算得到图像传感器辐射理论响应值,实现图像传感器辐射响应特性的精密校正。 来源:百度马 克 数据网