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全固态电池硅基负极及其制备方法、全固态电池

申请号: CN202410057566.1
申请人: 中国第一汽车股份有限公司
申请日期: 2024/1/16

摘要文本

本发明涉及全固态电池技术领域,尤其是涉及一种全固态电池硅基负极及其制备方法、全固态电池。全固态电池硅基负极,包括金属集流体以及硅基负极活性材料;所述金属集流体具有三维多孔结构,所述金属集流体的本体修饰有Ag;所述硅基负极活性材料填充于所述金属集流体的多孔结构中。本发明的全固态电池硅基负极中,金属集流体的多孔结构为硅基负极活性材料提供在充放电过程中的体积膨胀及收缩所需空间,避免因硅颗粒体积变化所导致的颗粒粉化及裂缝问题,从而提高了电池循环寿命;同时,金属集流体的本体进行了银点位修饰,使其具有优异的电子导电性,提升充放电倍率性能。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 全固态电池硅基负极及其制备方法、全固态电池
专利类型 发明申请
申请号 CN202410057566.1
申请日 2024/1/16
公告号 CN117577854A
公开日 2024/2/20
IPC主分类号 H01M4/66
权利人 中国第一汽车股份有限公司
发明人 别晓非; 翟喜民; 郝雪纯; 赵孟迪; 姜涛; 孙焕丽
地址 吉林省长春市长春汽车经济技术开发区新红旗大街1号

专利主权项内容

1.全固态电池硅基负极,其特征在于,包括金属集流体以及硅基负极活性材料;所述金属集流体具有三维多孔结构,所述金属集流体的本体修饰有Ag;所述硅基负极活性材料填充于所述金属集流体的多孔结构中。