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一种硅基负极及其制备方法和固态电池

申请号: CN202410051263.9
申请人: 中国第一汽车股份有限公司
申请日期: 2024/1/15

摘要文本

本发明涉及电池技术领域,尤其是涉及一种硅基负极及其制备方法和固态电池。本发明提供的硅基负极,按照质量份数计,包括如下组分:硅颗粒60~70份、SnS2颗粒10~15份、碳纳米管10~15份和Li4SnS4颗粒5~10份。本发明的硅基负极中,硅作为主要成分,可提供较高容量;SnS2的引入在提供容量的同时提升了硅基负极的导电性;碳纳米管作为骨架起到支撑的作用,在硅颗粒与SnS2颗粒间构筑良好的导电网络;硫化物固态电解质Li4SnS4的添加提升了硅基负极的离子导电性;解决了硅基负极的体积膨胀率高及导电性差的问题,从而有利于提高电池的循环稳定性和倍率性能。。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种硅基负极及其制备方法和固态电池
专利类型 发明申请
申请号 CN202410051263.9
申请日 2024/1/15
公告号 CN117577783A
公开日 2024/2/20
IPC主分类号 H01M4/134
权利人 中国第一汽车股份有限公司
发明人 郝雪纯; 别晓非; 翟喜民; 赵孟迪; 高欣宇
地址 吉林省长春市长春汽车经济技术开发区新红旗大街1号

专利主权项内容

1.一种硅基负极,其特征在于,按照质量份数计,包括如下组分:硅颗粒60~70份、SnS颗粒10~15份、碳纳米管10~15份和LiSnS颗粒5~10份。244