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一种聚酰亚胺薄膜及其制备方法
摘要文本
一种聚酰亚胺薄膜及其制备方法,涉及聚酰亚胺材料技术领域,解决了现有聚酰亚胺薄膜介电性能无法满足高频应用的问题。本发明首先基于亲核取代反应,将螺双茚双酚中间体、硝基卤代化合物和碱金属化合物加入溶剂中,在惰性气氛下反应,一步法制备得到含醚键型螺双茚满二硝基化合物;再基于还原反应,将含醚键型螺双茚满二硝基化合物与还原体系和溶剂混合后,在惰性气氛下反应,一步法制备得到含醚键型螺双茚满二胺单体。并将其与商品化二酐进行聚合反应,制备出性能优异的高频低介电聚酰亚胺材料。本发明可用于3D封装、光学器件和集成电路等领域,具有潜在的应用价值。。百度搜索马 克 数 据 网
申请人信息
- 申请人:中国科学院长春应用化学研究所
- 申请人地址:130000 吉林省长春市朝阳区人民大街5625号
- 发明人: 中国科学院长春应用化学研究所
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种聚酰亚胺薄膜及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410231305.7 |
| 申请日 | 2024/3/1 |
| 公告号 | CN117801276A |
| 公开日 | 2024/4/2 |
| IPC主分类号 | C08G73/10 |
| 权利人 | 中国科学院长春应用化学研究所 |
| 发明人 | 邱雪鹏; 丁敬垚; 戚福玲; 王汉夫; 代学民; 矫龙; 董志鑫; 刘芳芳; 杜志军 |
| 地址 | 吉林省长春市朝阳区人民大街5625号 |
专利主权项内容
1.一种聚酰亚胺薄膜,其特征在于,所述聚酰亚胺薄膜以螺双茚满二胺单体和二酐单体为原料制备而成;所述螺双茚满二胺单体的结构式如式Ⅳ所示:
;式中,芳香环选自苯、吡啶、吡嗪、嘧啶、喹啉、异喹啉、喹喔啉、噁唑、苯并噁唑、呋喃、噻唑、吡咯、咪唑及其衍生物中的一种;R选自H、CH、CH(CH)、C(CH)、F、CHF、CF中的一种或多种;13323323所述二酐单体选自下列结构式:
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