← 返回列表
一种半导体致冷器陶瓷双面集成电路及其制备方法
摘要文本
本发明公开了一种半导体致冷器陶瓷双面集成电路及其制备方法，属于集成电路制造领域，包括：陶瓷基板；至少两个第一焊接小单元；至少两个第一盲孔；一个第二焊接小单元；以及一个第二盲孔；第一盲孔由陶瓷基板的正表面向背表面方向延伸，第一焊接小单元的底面与第一盲孔的底面连接，第一焊接小单元的侧面与第一盲孔的侧壁连接，第一焊接小单元的顶面不高于陶瓷基板的正表面；第二盲孔由陶瓷基板的背表面向正表面方向延伸，第二焊接小单元的顶面与第二盲孔的底面连接，第二焊接小单元的侧面与第二盲孔的侧壁连接，第二焊接小单元的底面不低于陶瓷基板的背表面。本发明降低了半导体致冷器陶瓷双面集成电路的高度，解决了焊料向外蔓延的问题。
申请人信息
- 申请人:四川科尔威光电科技有限公司
- 申请人地址:610000 四川省成都市双流区西南航空港经济开发区青栏路1443号3号楼1单元4楼
- 发明人: 四川科尔威光电科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种半导体致冷器陶瓷双面集成电路及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410179738.2 |
| 申请日 | 2024/2/18 |
| 公告号 | CN117729831A |
| 公开日 | 2024/3/19 |
| IPC主分类号 | H10N10/817 |
| 权利人 | 四川科尔威光电科技有限公司 |
| 发明人 | 肖亚飞; 孙世刚; 徐健; 杜晶; 郑思原 |
| 地址 | 四川省成都市双流区西南航空港经济开发区青栏路1443号3号楼1单元4楼 |
专利主权项内容
1.一种半导体致冷器陶瓷双面集成电路，其特征在于，包括：陶瓷基板；至少两个第一焊接小单元；至少两个第一盲孔；一个第二焊接小单元；以及一个第二盲孔；其中，第一焊接小单元与第一盲孔的数量相等，第一盲孔由陶瓷基板的正表面向背表面方向延伸，第一焊接小单元的底面与第一盲孔的底面连接，第一焊接小单元的侧面与第一盲孔的侧壁连接，第一焊接小单元的顶面不高于陶瓷基板的正表面；第二盲孔由陶瓷基板的背表面向正表面方向延伸，第二焊接小单元的顶面与第二盲孔的底面连接，第二焊接小单元的侧面与第二盲孔的侧壁连接，第二焊接小单元的底面不低于陶瓷基板的背表面。