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一种半导体致冷器陶瓷集成电路及其制备方法
摘要文本
本发明公开了一种半导体致冷器陶瓷集成电路及其制备方法，属于集成电路制造领域，包括：陶瓷基板、焊接小单元；以及盲孔，其中，盲孔由陶瓷基板的正表面向背表面方向延伸，焊接小单元的底面与盲孔的底面连接，焊接小单元的侧面与盲孔的侧壁连接，焊接小单元的顶面不高于陶瓷基板的正表面。本发明降低了半导体致冷器陶瓷集成电路的高度，更适宜于尺寸小型化，解决了焊料向外蔓延的问题。
申请人信息
- 申请人:四川科尔威光电科技有限公司
- 申请人地址:610000 四川省成都市双流区西南航空港经济开发区青栏路1443号3号楼1单元4楼
- 发明人: 四川科尔威光电科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种半导体致冷器陶瓷集成电路及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410179736.3 |
| 申请日 | 2024/2/18 |
| 公告号 | CN117729830A |
| 公开日 | 2024/3/19 |
| IPC主分类号 | H10N10/817 |
| 权利人 | 四川科尔威光电科技有限公司 |
| 发明人 | 孙世刚; 肖亚飞; 徐健; 杜晶; 郑思原 |
| 地址 | 四川省成都市双流区西南航空港经济开发区青栏路1443号3号楼1单元4楼 |
专利主权项内容
1.一种半导体致冷器陶瓷集成电路，其特征在于，包括：陶瓷基板；焊接小单元；以及盲孔；其中，盲孔由陶瓷基板的正表面向背表面方向延伸，焊接小单元的底面与盲孔的底面连接，焊接小单元的侧面与盲孔的侧壁连接，焊接小单元的顶面不高于陶瓷基板的正表面。