碳化硅粉料合成装置
摘要文本
本发明提供了一种碳化硅粉料合成装置，涉及碳化硅粉料合成技术领域，该碳化硅粉料合成装置包括反应坩埚、碳源供给仓、硅源供给仓、反应加热器和收集仓，通过碳源供给仓提供第一混合气流，通过硅源供给仓提供第二混合气流，第一混合气流和第二混合气流均流通至反应区，进而形成混合有碳化硅粉体的第三混合气流，第三混合气流穿过导流孔，分流板能够分选第三混合气流中符合粒径要求的碳化硅粉体，收集仓能够收集分流板上分选出的碳化硅粉体。相较于现有技术，本实施例通过设置分流板和导流孔，能够分选出符合粒径要求的碳化硅粉体，从而保证收集仓内收集的碳化硅颗粒尺寸更加均匀，满足大粒径要求，提高粉料合成反应的产出率，降低粉料成本。
申请人信息
- 申请人:通威微电子有限公司
- 申请人地址:610299 四川省成都市双流区成都芯谷产业园区集中区内
- 发明人: 通威微电子有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 碳化硅粉料合成装置 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410166448.4 |
| 申请日 | 2024/2/6 |
| 公告号 | CN117695973A |
| 公开日 | 2024/3/15 |
| IPC主分类号 | B01J19/08 |
| 权利人 | 通威微电子有限公司 |
| 发明人 | 徐红立; 陈俊彤; 李劲松 |
| 地址 | 四川省成都市双流区成都芯谷产业园区集中区内 |
专利主权项内容
1.一种碳化硅粉料合成装置，其特征在于，包括：反应坩埚(110)，所述反应坩埚(110)内具有相对的第一侧壁(111)和第二侧壁(113)，所述第一侧壁(111)设置有朝向所述第二侧壁(113)倾斜向下延伸的分流板(115)，所述分流板(115)的上侧形成有反应区(117)，所述分流板(115)的下侧形成有回收区(119)，且所述分流板(115)靠近所述第一侧壁(111)的一端开设有导流孔(1151)；碳源供给仓(130)，所述碳源供给仓(130)与所述反应坩埚(110)的底部连接，并连接至所述第一侧壁(111)，用于向所述反应坩埚(110)提供混合有烃类气体的第一混合气流；硅源供给仓(150)，所述硅源供给仓(150)与所述反应坩埚(110)的顶部连接，并连接至第二侧壁(113)，用于向所述反应坩埚(110)提供混合有硅烷的第二混合气流；反应加热器(170)，所述反应加热器(170)设置在所述分流板(115)上侧，用于加热所述反应区(117)；收集仓(190)，所述收集仓(190)设置在所述分流板(115)远离所述第一侧壁(111)的一端；其中，所述第一混合气流和所述第二混合气流均流通至所述反应区(117)，所述反应区(117)用于生成碳化硅粉体，并形成第三混合气流，所述导流孔(1151)用于供所述第三混合气流穿过，所述分流板(115)用于承接所述第三混合气流中掉落的部分碳化硅粉体，所述收集仓(190)用于收集所述分流板(115)上的碳化硅粉体，且所述收集仓(190)与所述第二侧壁(113)间隔设置，用于形成供所述第一混合气流和所述第三混合气流通过的气流通道。