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半导体致冷器基板金属化方法及半导体致冷器金属化基板
摘要文本
本发明公开了一种半导体致冷器基板金属化方法及半导体致冷器金属化基板，属于半导体制冷器制造领域，包括以下步骤：S1, 将半导体致冷器基板放入中性清洗溶剂中清洗；S2, 水洗，去除中性清洗溶剂；S3, 甩干机离心甩干；S4, 有机清洗；S5, 甩干机离心甩干；S6, 等离子机内清洗，功率为500‑1000W；S7, 离子束清洗机清洗5~30 min，束流为100‑185 mA。本发明解决了金属化层的粘附力的较差以及高温环境下金属化层与基材容易起层分离的问题。
申请人信息
- 申请人:四川科尔威光电科技有限公司
- 申请人地址:610000 四川省成都市双流区西南航空港经济开发区青栏路1443号3号楼1单元4楼
- 发明人: 四川科尔威光电科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 半导体致冷器基板金属化方法及半导体致冷器金属化基板 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410252792.5 |
| 申请日 | 2024/3/6 |
| 公告号 | CN117835790A |
| 公开日 | 2024/4/5 |
| IPC主分类号 | H10N10/01 |
| 权利人 | 四川科尔威光电科技有限公司 |
| 发明人 | 唐兴友; 孙世刚; 徐健; 肖亚飞 |
| 地址 | 四川省成都市双流区西南航空港经济开发区青栏路1443号3号楼1单元4楼 |
专利主权项内容
1.一种半导体致冷器基板金属化方法，其特征在于，包括以下步骤：S1, 将半导体致冷器基板放入中性清洗溶剂中清洗；S2, 水洗，去除中性清洗溶剂；S3, 甩干机离心甩干；S4, 有机清洗；S5, 甩干机离心甩干；S6, 等离子机内清洗，功率为500-1000W；S7, 离子束清洗机清洗5~30 min，束流为100-185 mA；S8, 薄膜金属化，形成带薄膜金属层的半导体致冷器基板；S10, 光刻图形化；S11, 厚膜金属化，形成带厚膜金属层的半导体致冷器基板；S12，去除薄膜金属层，得半导体致冷器金属化基板。