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设置全数字锁相环中捕获电容阵列控制字初值的方法
摘要文本
本发明公开了一种设置全数字锁相环中捕获电容阵列控制字初值的方法。为解决现有技术中全数字锁相环无法覆盖较大温度范围的技术问题,本发明通过温度传感器对参考时钟计数,所获得的计数值与温度成正比;根据所获得的计数值,将捕获电容阵列控制字初值设置为初值C;启动全数字锁相环;初值C是满足(C‑CL)/(CH‑CL)与(T‑TL)/(TH‑TL)之间差值最接近0的捕获电容阵列控制字,CL和CH分别为捕获电容阵列的最小控制字和最大控制字,T为所获得的计数值所对应的温度,TL和TH分别为额定最低工作温度和最高工作温度。本发明通过动态捕捉环境温度并据此设置最佳初值C,解决了全数字锁相环覆盖温度范围窄的技术问题,使得芯片可适应更宽温度覆盖范围。。搜索马 克 数 据 网
申请人信息
- 申请人:成都电科星拓科技有限公司
- 申请人地址:610095 四川省成都市中国(四川)自由贸易试验区成都高新区府城大道西段399号7栋3单元14层1409号
- 发明人: 成都电科星拓科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 设置全数字锁相环中捕获电容阵列控制字初值的方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410207500.6 |
| 申请日 | 2024/2/26 |
| 公告号 | CN117811580A |
| 公开日 | 2024/4/2 |
| IPC主分类号 | H03L7/18 |
| 权利人 | 成都电科星拓科技有限公司 |
| 发明人 | 李蓝; 蹇俊杰; 唐贝贝; 唐梓豪; 郭富豪 |
| 地址 | 四川省成都市中国(四川)自由贸易试验区成都高新区府城大道西段399号 |
专利主权项内容
1.一种设置全数字锁相环中捕获电容阵列控制字初值的方法,其特征在于,包括如下步骤:通过温度传感器对参考时钟计数,所获得的计数值与温度成正比;根据所获得的计数值,将捕获电容阵列控制字初值设置为初值C;启动全数字锁相环;并且,所述初值C是满足(C-C)/(C-C)与(T-T)/(T-T)之间差值最接近0的捕获电容阵列控制字,其中C为捕获电容阵列的最小控制字,C为捕获电容阵列的最大控制字,T为所获得的计数值所对应的温度,T为额定最低工作温度,T为额定最高工作温度。LHLLHLLHLH