一种基于3D异构功放芯片的分频抑制结构
摘要文本
本发明公开了一种基于3D异构功放芯片的分频抑制结构，包括第一射频芯片和第二射频芯片，第一射频芯片的上端设置有依次电连接的射频输入传输线、第一功放晶体管、射频匹配电路、第二功放晶体管和射频输出传输线，第一射频芯片的上端还设置有第一电连接部和第二电连接部；第二射频芯片的下端设置有第三电连接部和第四电连接部，第二射频芯片的上端设置有分频抑制结构、第五电连接部和第六电连接部；第一电连接部和第三电连接部之间电连接有第一铜柱，第二电连接部和第四电连接部之间电连接有第二铜柱。本发明能够通过射频匹配电路和分频抑制结构来抑制分频，以从分频信号的传输环节上对分频信号进行抑制，以确保3D异构功放芯片正常输出。
申请人信息
- 申请人:成都雷电微力科技股份有限公司
- 申请人地址:610000 四川省成都市高新区益新大道288号石羊工业园
- 发明人: 成都雷电微力科技股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种基于3D异构功放芯片的分频抑制结构 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410079513.X |
| 申请日 | 2024/1/19 |
| 公告号 | CN117595794A |
| 公开日 | 2024/2/23 |
| IPC主分类号 | H03B19/14 |
| 权利人 | 成都雷电微力科技股份有限公司 |
| 发明人 | 唐耀宗; 陈孔云; 甘志; 张鲁宁 |
| 地址 | 四川省成都市高新区益新大道288号石羊工业园 |
专利主权项内容
1.一种基于3D异构功放芯片的分频抑制结构，其特征在于，包括：第一射频芯片(1)，所述第一射频芯片(1)的上端设置有依次电连接的射频输入传输线(101)、第一功放晶体管(102)、射频匹配电路(103)、第二功放晶体管(104)和射频输出传输线(105)，所述第一射频芯片(1)的上端还设置有用于与所述第一功放晶体管(102)电连接的第一电连接部(109)和用于与所述第二功放晶体管(104)电连接的第二电连接部(108)；第二射频芯片(2)，所述第二射频芯片(2)的下端设置有第三电连接部(206)和第四电连接部(207)，所述第二射频芯片(2)的上端设置有分频抑制结构(204)、用于与所述第三电连接部(206)电连接的第五电连接部(201)和用于与所述第四电连接部(207)电连接的第六电连接部(203)，所述分频抑制结构(204)的两端分别与所述第五电连接部(201)和所述第六电连接部(203)电连接；第一铜柱，所述第一铜柱的两端分别与所述第一电连接部(109)和所述第三电连接部(206)电连接；第二铜柱，所述第二铜柱的两端分别与所述第二电连接部(108)和所述第四电连接部(207)电连接。