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一种多晶硅电阻电路、制备方法及音频差分电路
摘要文本
本发明涉及音频信号处理技术领域，提出了一种多晶硅电阻电路、制备方法及音频差分电路，该多晶硅电阻电路包括：第一电阻支路，包括第一多晶硅电阻、连接第一多晶硅电阻与总输入端的第一输入连接线以及连接第一多晶硅电阻与总输出端的第一输出连接线；第二电阻支路，包括电位调整电路；其中，电位调整电路连接第一多晶硅电阻的衬底，被配置为将第一多晶硅电阻的衬底电位调整为总输入端与总输出端之间的中间电位。本发明通过设计电位调整电路将多晶硅电阻的衬底电位调整为总输入端与总输出端之间的中间电位，以此保证多晶硅电阻具有固定衬底电压并提供稳定的电阻阻值，进而保持音频差分电路的线性输出，提高了THD指标。 来源：马 克 数 据 网
申请人信息
- 申请人:成都本原聚能科技有限公司
- 申请人地址:610000 四川省成都市高新区西部园区百草路993号3幢
- 发明人: 成都本原聚能科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种多晶硅电阻电路、制备方法及音频差分电路 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410226252.X |
| 申请日 | 2024/2/29 |
| 公告号 | CN117810223A |
| 公开日 | 2024/4/2 |
| IPC主分类号 | H01L27/08 |
| 权利人 | 成都本原聚能科技有限公司 |
| 发明人 | 王志刚; 胡焱; 邵志刚 |
| 地址 | 四川省成都市高新区西部园区百草路993号3幢 |
专利主权项内容
1.一种多晶硅电阻电路，其特征在于，包括：第一电阻支路，所述第一电阻支路包括第一多晶硅电阻、连接所述第一多晶硅电阻与总输入端的第一输入连接线以及连接所述第一多晶硅电阻与总输出端的第一输出连接线；第二电阻支路，所述第二电阻支路包括电位调整电路；其中，所述电位调整电路连接所述第一多晶硅电阻的衬底，被配置为将所述第一多晶硅电阻的衬底电位调整为所述总输入端与所述总输出端之间的中间电位。