一种多级金刚石抗辐射过载的芯片封装结构及封装方法

摘要文本

本发明属于芯片封装技术领域，特别涉及一种多级金刚石抗辐射过载的芯片封装结构及封装方法，包括模座组件；所述模座组件为矩形状的开放式结构，且所述模座组件的顶部开口处活动卡接有抗辐射板；所述模座组件包括底座机构、下基层机构和上基层机构；所述底座机构为开放式结构，且所述下基层机构活动卡接在底座机构的内壁底端。通过下基层机构与上基层机构活动贴合连接在底座机构的内壁，在对上基层机构注入封装胶水时，能够使上基层机构内的胶水均匀流入到下基层机构内，并将下基层机构粘连固定在底座机构的内壁，使底座机构、下基层机构和上基层机构在一次注入封装胶水时，起到同步封装的作用，提高了时钟芯片同步封装的效率。