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一种改善双工器功率容量的方法
摘要文本
本发明公开了一种改善双工器功率容量的方法，在不改变双工器产品版图大小的情况下，通过在基板上增加不与其他金属连接的金属孤岛区域，以增加热功率的传导面积，从而快速起到散热作用。本发明利用热传导的原理，增大了双工器中信号线的散热面积，快速的将热量传递到外置金属上，在不影响产品性能，且不额外增加双工器产品尺寸的情况下，实现了功率容量的改善。
申请人信息
- 申请人:成都频岢微电子有限公司
- 申请人地址:611730 四川省成都市郫都区德源镇(菁蓉镇)数码二路2号4号楼B区4楼
- 发明人: 成都频岢微电子有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种改善双工器功率容量的方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410253397.9 |
| 申请日 | 2024/3/6 |
| 公告号 | CN117833864A |
| 公开日 | 2024/4/5 |
| IPC主分类号 | H03H9/72 |
| 权利人 | 成都频岢微电子有限公司 |
| 发明人 | 安建光; 安虹瑾; 何宇; 董元旦 |
| 地址 | 四川省成都市郫都区德源镇(菁蓉镇)数码二路2号4号楼B区4楼 |
专利主权项内容
1.一种改善双工器功率容量的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、对双工器的基板第一层金属结构进行切割或挖槽处理，得到第一孤岛区域，对双工器的基板第二层金属结构进行切割或挖槽处理，得到第二孤岛区域，对双工器的基板第三层金属结构进行切割或挖槽处理，得到第三孤岛区域；S2、通过金属柱连接第一孤岛区域与第二孤岛区域，并通过金属柱连接第二孤岛区域与第三孤岛区域；S3、依次通过第一孤岛区域、第二孤岛区域和第三孤岛区域对双工器的SAW滤波器进行散热，改善双工器的功率容量。