一种基于标准工艺的抗辐射横向扩散金属氧化半导体
摘要文本
本发明提供了一种基于标准工艺的抗辐射横向扩散金属氧化半导体，属于功率器件技术领域。所述半导体设置有有源区, 有源区被场氧层包围；所述有源区内设置有栅极端，漏端，源端，漂移区，Pbody区；Pbody区形成的沟道两端通过有源加固端与场氧层隔离；有源加固端是Pbody区或漂移区；该方法通过有源区隔离场氧层和器件沟道，避免场氧层产生的寄生电荷与沟道接触形成寄生沟道，有效提高了LDMOS管的抗总剂量效应能力，达到了抗辐射的目的；避免了传统环栅器件等效宽长比计算的误差，与常规LDMOS管栅极端宽长比一致，可以灵活调整宽长比；结构简单，与商用工艺完全兼容。
申请人信息
- 申请人:电子科技大学
- 申请人地址:611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
- 发明人: 电子科技大学
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种基于标准工艺的抗辐射横向扩散金属氧化半导体 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410225370.9 |
| 申请日 | 2024/2/29 |
| 公告号 | CN117810266A |
| 公开日 | 2024/4/2 |
| IPC主分类号 | H01L29/78 |
| 权利人 | 电子科技大学 |
| 发明人 | 肖洋 |
| 地址 | 四川省成都市高新西区西源大道2006号 |
专利主权项内容
1.一种基于标准工艺的抗辐射横向扩散金属氧化半导体，其特征在于，所述半导体的结构包括：栅极端(1)、漏端(2)、源端(3)、场氧层(6)、有源区(4)、有源加固端(5)，Pbody区(10)、漂移区(11)、栅氧层(14)；场氧层(6)为矩形框状结构，令场氧层(6)框内所有区域为有源区(4)；栅极端(1)为两条并行设置的多晶硅栅，其下表面设置栅氧层(14)；栅氧层(14)与场氧层(6)的上表面持平，栅氧层(14)位于栅极端(1)的下表面和有源区(4)的上表面的重合部分；场氧层(6)的厚度大于有源区(4)的厚度，有源区(4)与场氧层(6)的下方为衬底；场氧层(6)框内左右两端分别设置漏端(2)并与场氧层(6)接触，漏端(2)的上下两端不接触场氧层(6)；场氧层(6)框内中心处设置源端(3)；栅极端(1)的两条多晶硅栅，位于源端(3)左右两侧，与源端(3)左右两侧平行且不重合，栅极端(1)上下两端伸出有源区(4)；Pbody区(10)位于栅极端下方，将源端(3)包围；Pbody区(10)与场氧层(6)上下两端之间的区域为有源加固端(5)；有源区(4)内除漏端(2)、源端(3)、Pbody区(10)、有源加固端(5)外其他区域均为漂移区(11)；其中，Pbody区(10)材料为P型半导体，漂移区(11)材料为低浓度N型半导体；所述有源加固端(5)材料为P型半导体或者低浓度N型半导体。