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一种曲面随形电阻阻值校正方法
摘要文本
本发明公开了一种曲面随形电阻阻值校正方法,包括:S1:选定制备方法并设定工艺参数,根据选定的制备方法和工艺参数,设计平面尺寸获得方阻平面尺寸的参数;S2:根据当前模型的三维曲面的指定位置,利用壳建模的方式,设计曲面随形电阻形状特征,获得对应的曲面方程;S3:根据曲面方程计算曲面随形电阻长宽比,获得长宽比的积分形式;S4:利用平面膜状电阻的阻值计算方式,计算曲面随形电阻的阻值。S5:将计算得到的曲面随形电阻的阻值与目标阻值进行对比,基于设定的差异阈值,对曲面随形电阻形状特征进行修正。本发明相较于传统试阻方式,实现了准确、高效、普适地对基于给定阻值的任意曲面随形电阻形状特征的设计。
申请人信息
- 申请人:中国电子科技集团公司第二十九研究所
- 申请人地址:610036 四川省成都市金牛区营康西路496号
- 发明人: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种曲面随形电阻阻值校正方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410220330.5 |
| 申请日 | 2024/2/28 |
| 公告号 | CN117787189A |
| 公开日 | 2024/3/29 |
| IPC主分类号 | G06F30/392 |
| 权利人 | 中国电子科技集团公司第二十九研究所 |
| 发明人 | 王天石; 樊勋; 张怡; 刘镜波; 邓超; 曹洪志; 刘正勇; 谷岩峰; 姚钦; 张宇; 张玲; 李鹏; 全旭林; 徐利明; 王庆兵 |
| 地址 | 四川省成都市金牛区营康西路496号 |
专利主权项内容
1.一种曲面随形电阻阻值校正方法,其特征在于,包括:S1:选定制备方法并设定工艺参数,根据选定的制备方法和工艺参数,设计平面尺寸获得方阻平面尺寸的参数;S2:根据当前模型的三维曲面的指定位置,利用壳建模的方式,设计曲面随形电阻形状特征,获得对应的曲面方程;S3:根据曲面方程计算曲面随形电阻长宽比,获得长宽比的积分形式;S4:基于积分形式的长宽比,利用平面膜状电阻的阻值计算方式,计算曲面随形电阻的阻值。